近期，中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所信息功能材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室SOI材料課題組在層數(shù)可控石墨烯薄膜制備方面取得新進(jìn)展。課題組設(shè)計(jì)了Ni/Cu體系，并利用離子注入技術(shù)引入碳源，通過控制注入碳的劑量，成功實(shí)現(xiàn)了對(duì)石墨烯層數(shù)的調(diào)控。相關(guān)研究成果以Synthesis of Layer-Tunable Graphene：A Combined Kinetic Implantation and Thermal Ejection Approach 為題作為背封面（Back Cover)文章發(fā)表在Advanced Functional Materials 2015年第24期上。

石墨烯以其優(yōu)異的電學(xué)性能、出眾的熱導(dǎo)率以及優(yōu)良的力學(xué)性能等被人們普遍認(rèn)為是后硅CMOS時(shí)代延續(xù)摩爾定律的極具競(jìng)爭(zhēng)力的電子材料，擁有廣闊的應(yīng)用前景。然而，針對(duì)特殊的應(yīng)用需求必須對(duì)石墨烯的層數(shù)進(jìn)行控制。上海微系統(tǒng)所SOI材料課題組圍繞石墨烯層數(shù)控制問題，結(jié)合Ni和Cu在CVD法中制備石墨烯的特點(diǎn)，利用兩種材料對(duì)碳溶解能力的不同，設(shè)計(jì)了Ni/Cu體系（即在25 μm厚的Cu箔上電子束蒸發(fā)一層300 nm的Ni )，并利用半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中成熟的離子注入技術(shù)將碳離子注入到Ni/Cu體系中的Ni層中，通過控制注入碳離子的劑量（即4E15 atoms/cm2劑量對(duì)應(yīng)單層石墨烯，8E15 atoms/cm2劑量對(duì)應(yīng)雙層石墨烯)，經(jīng)退火后成功實(shí)現(xiàn)了單、雙層石墨烯的制備。

與傳統(tǒng)的CVD制備石墨烯工藝相比，離子注入技術(shù)具有低溫?fù)诫s、適當(dāng)?shù)哪芰亢蛣┝靠刂坪透呔鶆蛐缘葍?yōu)點(diǎn)，采用離子注入法制備石墨烯單雙層數(shù)僅受碳注入劑量的影響，與氣體的體積比、襯底厚度以及生長(zhǎng)溫度無(wú)關(guān)。此外，離子注入技術(shù)與現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)相兼容，有助于實(shí)現(xiàn)石墨烯作為電子材料在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域真正的應(yīng)用。該研究得到了國(guó)家自然科學(xué)基金委創(chuàng)新研究群體、青年基金、中國(guó)科學(xué)院高遷移率材料創(chuàng)新研究團(tuán)隊(duì)等相關(guān)研究計(jì)劃的支持。